-
1 коэффициент захвата
( примеси в кристалле) trapping coefficient; ( в ускорителе) capture efficiency -
2 коэффициент захвата
1) Engineering: capture coefficient2) Electronics: capture ratio3) Makarov: capture efficiency (в ускорителе), trapping coefficient (примеси в кристалле)Универсальный русско-английский словарь > коэффициент захвата
-
3 electromigration
электромиграция, электроперенос ( движение заряженных атомов примеси в кристалле)Англо-русский словарь промышленной и научной лексики > electromigration
См. также в других словарях:
Диффузия в кристалле — Диффузия это обусловленный хаотическим тепловым движением перенос атомов, он может стать направленным под действием градиента концентрации или температуры. Диффундировать могут как собственные атомы решетки (самодиффузия или гомодиффузия),… … Википедия
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — образование кристаллов из паров, р ров, расплавов, из в ва в тв. состоянии (аморфном или другом кристаллическом), из электролитов в процессе электролиза (электрокристаллизация), а также при хим. реакциях. Для К. необходимо нарушение термодинамич … Физическая энциклопедия
Концентрационное переохлаждение — Концентрационным переохлаждением (КП) называют явление, которое возникает при направленной кристаллизации расплава, содержащего примесь, и заключающееся в том, что в результате перераспределения примеси в расплаве перед фронтом кристаллизации… … Википедия
Кристаллизация — образование кристаллов из паров, растворов, расплавов, вещества в твёрдом состоянии (аморфном или другом кристаллическом), в процессе электролиза и при химических реакциях. К. приводит к образованию минералов. К. воды играет важную роль в … Большая советская энциклопедия
ТОМАСА -ФЕРМИ ТЕОРИЯ — приближённая квазиклассич. статистич. теория неоднородных плотных многочастичных систем. Предложена для электронного газа высокой плотности Л. Томасом (L. Thomas) в 1926, развита Э. Ферми (E. Fermi) в 1928 применительно к многоэлектронным атомам … Физическая энциклопедия
ФРИДЕЛЯ ОСЦИЛЛЯЦИИ — периодическое распределение электронной плотности в металлах, возникающее при экранировании заряж. примеси. В случае сферически симметричного примесного потенциала это распределение на больших расстояниях от примесного узла определяется ф лой… … Физическая энциклопедия
Туннельный диод — двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, в котором имеется очень узкий потенциальный барьер, препятствующий движению электронов; разновидность полупроводникового диода (См. Полупроводниковый диод). Вид… … Большая советская энциклопедия
Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ — ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ, нарушения кристаллической структуры, размеры которых во всех трех измерениях сравнимы с одним или несколькими междуатомными расстояниями. Точечный дефект может иметь простую или сложную структуру. Виды точечных дефектов Вакансия … Энциклопедический словарь
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… … Физическая энциклопедия